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・최소 패턴 샌드블라스트 장치에서 라인 홈 폭 20μm・도트 홀 40μm・30μm 핀 세팅의 패턴 절삭이 가능 |
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・가공 애스팩트 샌드블라스트 장치를 이용해 2배부터 8배까지의 고어스팩트 가공이 가능 |
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・가공 대상 기판 수정・유리・세라믹・화합물 반도체・실리콘 웨이퍼・사파이어 등의 취약성 재료・금속 재료 |
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・가공 내용 홀 가공・다이싱 가공・핀 세팅 가공・홈 가공 |
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・가공 예 |
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![]() 플라즈마 디스플레이의 방전 공간 형성
(30μm 라인 격자, 높이 180μm) |
![]() 유리 홈 가공
(라인 폭 20μm) |
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![]() 세라믹 핀 세팅 가공 |
![]() 세라믹 기어 가공 |
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![]() 다이싱용 홈 가공
(라인 폭 30μm)
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![]() 딤플 가공 |
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![]() 스테인리스 패턴 절삭 가공
(깊이 35μm) |
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샌드블라스트 장치를 사용하여 금속에 미립자를 고속으로 분사하면 금속 표면에 경도가 높고 강인한 미세 조직을 형성시킬 수 있으며, 이를 통해 금속 강도를 큰 폭으로 향상시킬 수 있음. 이러한 마이크로 쇼트 피이닝 처리를 통해 날붙이 도구 또는 금속 부품의 수명을 대폭 연장시킬 수 있음. |
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![]() 고압 질소 가스를 사용하여 금속 입자를 분사하면 유리・세라믹・금속 등의 표면에 금속 박막 코트를 형성시킬 수 있음. |
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![]() 알루미나 기판 상의 동블라스트 코팅 |
![]() 유리 기판 상의 은블라스트 코팅
라인 폭 150μm 간격 45μm) |
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![]() 미세한 연마재를 사용하여 기재에 손상을 주지 않고 미세한 돌출부를 완전히 제거할 수 있음. |
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![]() 0.2mm 가공 전 |
![]() 0.2mm 가공 후
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샌드블라스트 장치를 사용해 미립자를 분사하여 표면에 부착된 오염물이나 산화막・도막・도금・증착막 등을 제거할 수 있음. 미립자를 사용하므로 소재 표면에 생길 수 있는 손상을 크게 줄여 가공할 수 있음. |
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